%0 Journal Article
%T 硅中的氮氧复合物及其施主行为
%A 刘培东
%A 张锦心
%A 李立本
%A 阙端麟
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 含氮ＣＺ硅的电学性能完全有别于含氮的ＦＺ硅和无氮的ＣＺ硅，研究表明，含氮ＣＺ硅能形成一种与氮有关的新施主，它随氮氧复合物的形成而形成，随氮氧复合物的消失而消失．文章进一步研究了氮—新施主的结构模型，并对氮—新施主的形成和消除与热处理条件的关系进行了探讨．
%K 硅
%K 氮氧复合物
%K 施主行为
%K 电学性能
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C230AF6F718BC286&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=59906B3B2830C2C5&sid=941A3E905B9F2AD9&eid=A50445FB05D4B1A0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=11