%0 Journal Article
%T Fabrication and Properties of MFIS FET for NDRO Ferroelectric Memory Application<br>应用于非破坏性读出铁电存储器的MFIS FET制备及其特性
%A Yan Lei
%A Lin Yinyin
%A Tang Tingao
%A Huang Weining
%A Jiang Guobao
%A <br>颜雷
%A 林殷茵
%A 汤庭鳌
%A 黄维宁
%A 姜国宝
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 将 Zr O2 和 PZT的 sol- gel薄膜制备技术应用到非破坏性读出铁电存储器中 ,制作出应用 Al/ PZT/ Zr O2 / p- Si结构的 MFIS电容和单管 MFIS FET,研究了 MFIS电容的界面和存储窗口特性 ,结果表明 Zr O2 介质阻挡层和 Si衬底以及 PZT的附着良好 ,在± 5 V测试电压、1MHz测试频率下 ,存储窗口电压为 2 .6 V左右 ,与相应的铁电薄膜的正、负矫顽电压差值的比为 0 .8.对于宽长比为 5 0 0μm / 5 0μm器件 ,采用栅极与源极、漏极写入方式 ,± 10 V时在写入电压下得到理想的输入 -输出特性 ;小尺寸的 4 0μm/ 8μm器件在± 5 V写入电压下特性较好
%K metal/ferroelectric/(insulator)/semiconductor ferroelectric memory
%K nonvolatile ferroelectric RAM
%K nonvolatile and nondestructive read
%K out
%K ferroelectric thin film<br>MF(I)S铁电存储器
%K 不挥发铁电存储器
%K 不挥发非破坏性读出
%K 铁电薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CC62F5177D75432A&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=38B194292C032A66&sid=DFEE4E8C33C95CEF&eid=8ED630AD8C61FAE8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=10