%0 Journal Article
%T Doping Mg Dose in MOCVD Growth of P-GaN Films<br>MOCVD生长P型GaN的掺Mg量的研究
%A LI Shu
%A |ti
%A WANG Li
%A PENG Xue
%A |xin
%A XIONG Chuan
%A |bing
%A YAO Dong
%A |min
%A XIN Yong
%A JIANG Feng
%A |yi
%A <br>李述体
%A 王立
%A 彭学新
%A 熊传兵
%A 姚冬敏
%A 辛勇
%A 江风益
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 使用 MOCVD技术在 Al2 O3衬底上生长了 Ga N∶ Mg薄膜 .通过对退火后样品的光电性能综合分析 ,研究了掺 Mg量对生长 P型 Ga N的影响 .结果表明 :要获得高空穴载流子浓度的 P型 Ga N,Mg的掺杂量必须控制好 .掺 Mg量较小时 ,Ga N∶ Mg单晶膜呈现 N型导电 ,得不到 P型层 ;掺 Mg量过大时 ,会形成与 Mg有关的深施主 ,由于深施主的补偿作用 ,得不到高空穴浓度的 P型 Ga N.生长 P型 Ga N的最佳 Cp2 Mg/TMGa之比在 1 /660— 1 /330之间
%K GaN
%K MOCVD
%K doping Mg dose<br>GaN
%K MOCVD
%K 掺Mg量
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2CC1AF4D8A43400F&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=E158A972A605785F&sid=683005D16807E4FE&eid=869B6F3117981EC4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=12