%0 Journal Article
%T GaN的MOCVD生长
%A 陆大成
%A 汪度
%A 王晓晖
%A 董建荣
%A 刘祥林
%A 高维滨
%A 李成基
%A 李蕴言
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X ＧａＮ是重要的蓝光半导体材料．我们以ＴＭＧａ和ＮＨ３为源在（０１１２）α－Ａｌ２Ｏ３衬底上成功的用ＭＯＣＶＤ方法生长了ＧａＮ外延层，研究了ＧａＮ的表面形貌与结晶学、电学和光学特性．ＧａＮ（２１１０）面的双晶回摆曲线衍射峰的最小半高宽已达１６＇．并观测到ＧａＮ所发出的紫外和可见光波段的阴极荧光．
%K 氮化镓
%K MOCVD生长
%K 半导体材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3FFD7358AD43EB16&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=708DD6B15D2464E8&sid=6D80B994DAB4686B&eid=849A5A9D85EBE6D4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=7&reference_num=2