%0 Journal Article
%T 半导体激光器在微波场加热电子变温调制中的增益开关效应
%A 郭长志
%A 陈水莲
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文从理论上得出半导体激光器中晶格和空穴温度保持室温不变，但电子因受微波场加热而变温时，光增益的变化，并与晶格、空穴和电子温度一起变化时的结果作比较．据此分析了电子温度单独变化对半导体激光器静态行为的影响，指出新提出的微波场加热电子变温调制过程的物理机制与通常电流调制过程的根本区别．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1DFDB0D634D648F7&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=708DD6B15D2464E8&sid=0EE24608F5763811&eid=FA98B938D085B826&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0