%0 Journal Article
%T 多孔硅的氢化、氧化与光致发光
%A 张丽珠
%A 段家忯
%A 林军
%A 张伯蕊
%A 毛晋昌
%A 付济时
%A 秦国刚
%A 许振华
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 对于刚阳极氧化完的，阳极氧化后紧接着在Ｈ２Ｏ２中光照处理的及长期存放（１０个月）的三种多孔硅样品进行了持续激光照射，不断监视它们的光致发光（ＰＬ）与富利埃变换红外（ＦＴＩＲ）吸收光谱，并在最后对它们作了Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）测量，以确定它们所含氧化硅的情况．得出如下几条结论：（１）氢对多孔硅表面的钝化是不稳定的．（２）Ｓｉ—Ｈ键不是发光所必须的．（３）氧对多孔硅表面的钝化是稳定的，纳米硅周围氧化层的存在及其特性对于稳定的多孔硅可见光发射是至关重要的．对激光照射下多孔硅发光的退化提出了新的解释．
%K 多孔硅
%K 氢化
%K 氧化
%K 光致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9FE3AD82F2825E54A7C69906B8ED8F47&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=8B1FE194AD66DC3D&eid=34D13857B558254E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=3