%0 Journal Article
%T GaAs／AlGaAs双量子阱中量子相干特性的研究
%A 王杏华
%A 郑厚植
%A 李承芳
%A 刘剑
%A 杨小平
%A 余琦
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 研究了低温、平行磁场下两种ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ双量子阱的量子干涉特性．两种样品的阱宽均为６０，但挚垒层厚度不同，分别为１２０和２０．实验结果表明，样品的电导随磁场呈周期性振荡，振荡周期近似为ｈ／（ｅ·Ｓ），这一结果同Ａｈａｒｏｎｏｖ－Ｂｏｈｍ效应的理论值相吻合。我们也发现，薄势垒层样品比厚势垒层样品的电导振荡幅度更大一些．
%K 砷化镓
%K 砷化镓铝
%K 量子相干
%K 量子阱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CAA9A8C237D22529&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=FD6137FFCE59D193&eid=EB8E83807F36F05B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0