%0 Journal Article
%T Co／Ti／Si三元固相反应外延生长CoSi_2薄膜
%A 刘平
%A 李炳宗
%A 孙臻
%A 顾志光
%A 黄维宁
%A 周祖尧
%A 倪如山
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 研究采用Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ三元固相反应的方法生长外延ＣｏＳｉ２薄膜．通过选择适当的热处理条件，采用多步退火，在Ｓｉ（１００）和Ｓｉ（１１１）衬底上均成功获得外延ＣｏＳｉ２薄膜．实验用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＲＢＳ／ｃｈａｎｎｅｌｉｎｇ等测试技术分析ＣｏＳｉ２薄膜外延特性，得到的ＣｏＳｉ２薄膜的ＲＢＳ／ｃｈｎｎｅｌｉｎｇ最低产额Ｘｍｉｎ达到１０－１４％．实验对ＣｏＳｉ２／Ｓｉ（１１１）样品，分别沿Ｓｉ衬底的＜１１０＞和＜１１４＞晶向进行背散射沟道测量．结果发现，沿Ｓｉ＜１１０＞晶向得到的ＣｏＳｉ２背散射沟道产额显著高
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=73D8C67C4B3059A46B1C8CB91431A1A1&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=E158A972A605785F&sid=6CCE24D86D03D083&eid=0C191C6ECF79047F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0