%0 Journal Article
%T MOS结构低温负偏压温度不稳定性
%A 陆德仁
%A 朱德光
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文报道了在氧等离子体中暴露过的热生长二氧化硅ＭＯＳ结构，置于－１７０至１００℃的环境中，经受－０．３至－１０ＭＶ／ｃｍ电场作用１ｍｓ至１００ｓ的时效处理后，仍然表现出不稳定性的实验结果．１至１０ｍｓ的时效时间是常规负偏压温度不稳定性试验时间的几百，乃至几十万分之一，用这样短的低温负偏压应力，研究了光照对ＭＯＳ结构负偏压温度不稳定性的影响，实验与预想一致，Ｎ型ＭＯＳ结构应力处理时，若无光照，时效时间短于１０ｍｓ，处理后Ｃ－Ｖ曲线不位移，若有光照，Ｃ－Ｖ曲线向左位移０．１５Ｖ左右．对于Ｐ型ＭＯＳ结构，Ｃ－Ｖ
%K 二氧化硅
%K MOS结构
%K 偏压温度
%K 不稳定
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=99B0530AE0F97AA7&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=E158A972A605785F&sid=CAA7BAE04CB631A1&eid=03E56C113B4E5A88&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4