%0 Journal Article
%T Fe掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe材料的光谱与电学研究
%A 常勇
%A 褚君浩
%A 唐文国
%A 沈文忠
%A 汤定元
%A 叶润清
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 利用红外光谱、光致发光光谱与Hall测量等手段，对Fe掺杂Hg1-xCdxTe体单晶样品进行实验，研究了Fe在Hg1-xCdxTe中的杂质行为，发现Fe掺杂在Hg1－xCdxTe中引入一个位于导带底下方约80meV的施主能级，并且发现掺杂HgCdTe中的Fe元素在低于180K温度下基本上不表现出电活性，但它能够起非辐射复合中心的作用，影响材料的非平衡载流子寿命，在积分光致发光强度的温度变化关系中明显地反映出来．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A259D5083E100CFF&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=E158A972A605785F&sid=B799C1769FCACDC8&eid=96A53C367B5173D7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0