%0 Journal Article
%T 高纯外延GaAs中浅施主杂质的光热电离谱研究
%A 钱家骏
%A 陈涌海
%A 孙明方
%A 王占国
%A 林兰英
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 利用光热电离谱技术研究了4．5K下高纯n－GaAs外延材料的远红外光电导响应借．给出CPE法和VPE法生长的高纯GaAs材料残留浅施主杂质分别是S、Sn和Sn、P等杂质．实验结果表明本所高纯GaAs组采用的LPE生长技术能有效抑制杂质St和Sn的沾污．
%K 砷化镓
%K 光热电离谱
%K 外延材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F5FF98B03CC858D9&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=E158A972A605785F&sid=28F9D9CF04F424FF&eid=10828928EB89AD8E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2