%0 Journal Article
%T LP-MOVPE生长的1.3μm InGaAsP/InP张压应变交替MQW特性
%A 王志杰
%A 陈博
%A 王圩
%A 张济志
%A 朱洪亮
%A 周帆
%A 金才政
%A 马朝华
%A 王启明
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文在国内首次报道了LP－MOVPE法生长高质量的压、张应变交替InGaAsP多量子阶结构的研制过程及其材料的高精度X射线双晶摇摆衍射曲线和光致发光谱特性表征．在此材料基础之上制作的平面掩埋条形结构激光器经过双腔面镀增透射膜后，其TE模与TM模自发发射谱光强差为3dBm，呈现偏振补偿特性．
%K LP－MOVPE生长
%K 材料
%K 半导体
%K 多量子阱结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E3102F847C8932C9F70D7F19C4389309&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=38B194292C032A66&sid=E1D946F217E3B046&eid=FBCA02DBD05BD4EA&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0