%0 Journal Article
%T Poly-Si Thin Films Prepared by Plasma-Hot Wire CVD<br>等离子体-热丝CVD技术制备多晶硅薄膜
%A Liu Fengzhen
%A Zhu Meifang
%A Feng Yong
%A Liu Jinlong
%A Wang Liujiu
%A Han Yiqin
%A <br>刘丰珍
%A 朱美芳
%A 冯勇
%A 刘金龙
%A 汪六九
%A 韩一琴
%J 半导体学报
%D 2003
%I 
%X 采用热丝化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积相结合的技术制备了多晶硅薄膜,通过Raman散射、XRD、吸收谱等手段研究了薄膜结构和光学性质.结果表明,与单纯的热丝和等离子体技术相比,等离子体-热丝CVD技术在一定条件下有助于薄膜的晶化和提高薄膜均匀性.Auger谱研究表明等离子体的引入大大降低了硅化物在高温热丝表面的形成.
%K plasma enhanced-hot wire chemical vapor deposition (PE-HWCVD)
%K polycrystalline silicon
%K thin film structure
%K optical properties<br>等离子体-热丝CVD
%K 多晶硅
%K 薄膜结构
%K 光学性质
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8C81ACEF6F6BDED3&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=B91E8C6D6FE990DB&iid=94C357A881DFC066&sid=A03A15CF5604A8B0&eid=9296A146D1D94BC4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=10&reference_num=5