%0 Journal Article
%T 硅芯片封接用PbO、ZnO、B_2O_3三元系易熔玻璃特性与封接工艺的关系
%A 孙以材
%A 孟凡斌
%A 潘国峰
%A 刘盘阁
%A 姬荣琴
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 对淬火态及重熔再凝固态两种粉末进行 DSC、红外吸收光谱及 X射线衍射谱分析 ,实验表明 ,淬火态的软化点低 ,在 5 0 0～ 5 10℃下完全熔化 ,有利于芯片的低温封接 .重熔再凝固态的熔点高 ( 63 0℃ )、热稳定性好 ,有利于器件的使用 .进一步研究表明 ,淬火态为无序态 ,再凝固态为结晶态 ,其中存在 Pb2 Zn B2 O6 的晶体相 .无论是在无序态中还是在结晶态中 ,BO3]3- 离子团都不会破裂 ,均出现其分子振动的特征简正模 .
%K 低温玻璃
%K 芯片封接
%K 特性分析
%K DSC谱
%K 红外吸收谱
%K X射线衍射谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=996566BC9380C3BE420D41E0087B8E60&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=94C357A881DFC066&sid=AF4A4411BB448A36&eid=A3F93694B058F76C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0