%0 Journal Article
%T GaAs/AlAs超晶格中的纵光学声子模的近共振散射研究
%A 汪兆平
%A 韩和相
%A 李国华
%A 江德生
%A Klaus Ploog
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 在室温和背散射配置下,测量了GaAs/AlAs超晶格的Raman散射光谱.样品用分子束外延方法生长在(001)晶向的半绝缘GaAs衬底上.激发光源用Kr离子激光器的6471A和 6764A线.在近共振散射下,由于弗洛里希作用的共振增强效应,具有A_1对称性的LO偶模的散射强度远远强于具有 B_2对称性的奇模.但偶模仅在偏振谱中观测到,在退偏振谱中观测到的仍是奇模,仍然和非共振散射下的情况一样,有同样的偏振选择定则。此外,二级散射谱也观测到了.
%K GaAs／Al／As
%K 超晶格
%K 声子模
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=BFAD8F68267DC4F8&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=94C357A881DFC066&sid=E3094127AA4ABC1A&eid=CA9ED1AB4D9E3E04&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=5