%0 Journal Article
%T 用于1.55μm InGaAsP/InP DFB激光器的λ/4相移衍射光栅
%A 缪育博
%A 张静媛
%A 王圩
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 采用全息二次曝光的方法,研制出用于 1.55μm InGaAsP/InP DFB激光器的,具有 λ/4相移的二级光栅,并通过扫描电镜(SEM)证明了相移的存在.本文分析了制备该种光栅的工艺原理,并提出了改善此种光栅质量的新方法.
%K DFB激光器
%K InGaAsP／InP
%K 衍射光栅
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A3CE7174D69C236F&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=94C357A881DFC066&sid=F637763636425CAF&eid=7737D2F848706113&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0