%0 Journal Article
%T Statistical Analysis for the Sensitivity of Polysilicon Piezoresistance<br>择优生长的多晶硅压阻统计理论
%A Zhao Ganming/
%A <br>赵甘鸣
%A 鲍敏杭
%J 半导体学报
%D 1989
%I 
%X 本文报道了计算择优生长的多晶硅压阻灵敏度的统计平均理论,由此得到了〈100〉、〈110〉〈111〉、〈211〉、〈311〉、〈331〉等低指数晶向择优生长的p型和n型多晶硅的平均晶粒压阻系数.将这些结果应用到具有多重择优晶向的多晶硅材料,经过计算可进一步得到多晶硅力敏电阻的灵敏度.对于制作在矩形膜中心区域的一系列多晶硅电阻,实验得到的结果与理论分析的结果符合得很好.这些结果为多晶硅压阻型压力传感器的设计提供了有效的手段.
%K Silicon
%K Sensors
%K Piezoresistor
%K Sensitivity
%K pressure
%K Statistical analysis<br>硅
%K 传感器
%K 力敏电阻器
%K 灵敏度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=26F651E308C7F0D28A89A583BC6D1EFD&yid=1833A6AA51F779C1&vid=F3090AE9B60B7ED1&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=99A964928ADB4E67&eid=80BBC722D530DB8D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3