%0 Journal Article
%T Electroless Copper and Nickel Plating on Single-Crystal Silicon for MEMS Applications<br>应用于MEMS的单晶硅上无电镀铜、镀镍工艺
%A HAN Xiang
%A Li Yi
%A Wu Wengang
%A Yan Guizhen
%A Hao Yilong
%A <br>韩翔
%A 李轶
%A 吴文刚
%A 闫桂珍
%A 郝一龙
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 开发了单晶硅上的选择性无电镀铜、镀镍工艺，形成了较为优化的施镀流程，实现了保形性、均镀性较好的铜、镍及其复合镀层．其中针对单晶硅表面的特点，采取了浓酸处理和氧等离子轰击两种表面预处理方法，优化了氯化钯对表面的激活时间，使得镀层质量得到提高．提出了以镍作为中间层以减小镀层应力的方法，施镀后获得的铜镀层的电阻率为2.1μΩ·cm，铜/镍复合镀层的方块电阻为0.19Ω/□．在单晶硅MEMS电感结构上实现了较好的无电镀铜，使得该元件的品质因数超过25．
%K single-crystal silicon
%K electroless plating
%K copper
%K nickel
%K MEMS inductor
%K quality factor<br>单晶硅
%K 无电镀
%K 铜
%K 镍
%K MEMS电感
%K 品质因数
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4AD1CBFBCD7FF147&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=94C357A881DFC066&sid=A326383D2F3B3AB0&eid=941A3E905B9F2AD9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=9