%0 Journal Article
%T γ辐照的半绝缘GaAs：Cr的电子顺磁共振研究
%A 傅济时
%A 朱美栋
%A 毛晋昌
%A 吴恩
%A 秦国刚
%A 魏根栓
%A 张钰华
%A 王永鸿
%A 马碧春
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文报道γ辐照的ＧａＡｓ：Ｃｒ的光激发电子顺磁共振（ＥＰＲ）研究结果．实验结果表明γ辐照不仅改变了其内硅谱线的光淬灭特性，同时还产生一条ｇ值为２．０８、线宽约３e－２Ｔ无光淬灭特性的新谱线，初步分析表明它可能来自于砷空位（ＶＡｓ）．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=61804B811272B123&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=E158A972A605785F&sid=4D7D059FFBF006B9&eid=96A53C367B5173D7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0