%0 Journal Article
%T (CdTe)_m(ZnTe)_n-ZnTe多量子阱结构的静压光致发光和共振喇曼散射研究
%A 李国华
%A 韩和相
%A 汪兆平
%A 李杰
%A 何力
%A 袁诗鑫
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X (CdTe)_m(ZnTe)_n-ZnTe多量子阱是由(CdTe)_m(ZnTe)_n短周期超晶格限制在ZnTe势垒中组成的新结构。它可以提高CdTe/ZnTe异质生长的临界厚度。静压下的光致发光研究表明加压后(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格和ZnTe势垒层的光致发光峰分别以8.80和 9.47meV/kbar的速率向高能移动。利用这种静压下的带隙变化,实现了与514.5和488.0nm激发光的共振喇曼散射。观察到高达4阶的多声子共振喇曼散射。并发现与(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格共振时的类ZnTe LO声子模频率比与ZnTe热垒共振时的ZnTe LO声子频率低1.4cm~(-1)。反映了在(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格中LO声子的局域效应。
%K 化合物半导体
%K 量子阱结构
%K 光致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B191595FA059AE383AF37C65564AF150&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=E158A972A605785F&sid=FCD27DC5E1F2EEE7&eid=334E2BB8B9A55ABB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=7