%0 Journal Article
%T 应变层In_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱的光调制反射谱研究
%A 潘士宏
%A 刘毅
%A 张存洲
%A 张光寅
%A 冯巍
%A 周钧铭
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 用光调制反射谱(PR)测量了三块应变层 In_xGa_(1-x)As/GaAs 量子阱多重结构样品,每块样品中包含宽度为140、80、50、30和20A的量子阱.在300K和77K的PR谱中观察到各个量子阱的11H和11L光跃迁.根据PR数据用包络函数法进行分析,估算了量子阱中In的成分.在解释300K和77K实验结果时考虑了流体静压形变势常数的温度依赖性.实验和理论最佳符合时求得导带边不连续性在300K为0.7,77K为0.66.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=24C73EBFB9CF510E&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=B31275AF3241DB2D&sid=5957D6E0A50D26B5&eid=406BF8ED3BCE1927&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0