%0 Journal Article
%T GaAs/GaAlAs超晶格的Wannier-Stark效应
%A 张耀辉
%A 江德生
%A 李锋
%A 周均铭
%A 梅笑冰
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 我们用光电流谱方法在室温和低温下观察了短周期GaAs(35A)/Ga_(0.7)Al_(0.3)A_3(35A)超晶格的Wannier-Stark效应.在中等电场下,观测到了反映等能量间距的“Stark梯”的谱形.并且发观了激子态由于场致局域化导致的由准三维向准二维转变.我们详细地讨论了跃迁强度随电场的变化,与应用夏建白等提出的计算模型得出的结果十分符合,证明了光电流谱中的结构,即使在较低的 10~4V/cm的电场下是由于 Wannier局域化引起,而不可能是鞍点激子引起的.
%K 超晶格
%K 光电流谱法
%K 电场
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3529BF668140398B3F579776BEBBA7B2&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=94C357A881DFC066&sid=EC34D52BE81085CE&eid=4AD4BA66429F5627&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3