%0 Journal Article
%T 157W Q-CW AlGaAs/GaAs Linear Laser Diode Arrays<br>157W准连续AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵
%A FANG Gao
%A |zhan
%A XIAO Jian
%A |wei
%A MA Xiao
%A |yu
%A TAN Man
%A |qing
%A LIU Zong
%A |shun
%A LIU Su
%A |ping
%A HU Chang
%A |hong
%A LU Lin
%A LI Xiu
%A |fang
%A WANG Mei
%A <br>方高瞻
%A 肖建伟
%A 马骁宇
%A 谭满清
%A 刘宗顺
%A 刘素平
%A 胡长虹
%A 鲁琳
%A 李秀芳
%A 王梅
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 通过优化设计量子阱结构和列阵结构，减小腔面光功率密度，避免器件腔面灾变损伤，得到１ｃｍＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ激光二极管线列阵，在热沉温度２１℃，脉冲宽度２００μｓ，重复频率１００Ｈｚ时，输出峰值功率达１５７Ｗ．
%K Laser Diode
%K Array
%K Quasi\|CW<br>激光二极管
%K 列阵
%K 准连续
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3E37681172FB579A&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=331211A5F5616413&eid=DBF54A8E2A721A6D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=4