%0 Journal Article
%T 半绝缘InP的铁能级研究
%A 彭承
%A 孙恒慧
%A 唐文国
%A 李自元
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文用光致发光光谱及光激电流瞬态谱研究了掺铁半绝缘InP中的铁能级,发现被测样品可分成两类,它们分别存在着 FeI(Fe~3+/Fe~+)和 Fell(Fe~(4+)/Fe~(3+))两种不同的铁能级.这可能是由于它们分别对应于浅施主和浅受主补偿的InP半绝缘材料,亦说明有争议的Fe~(4+)是在有些半绝缘InP 中存在的
%K InP
%K 半绝缘
%K 铁能级
%K 光致发光光谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=98AA969C8B7B1C76&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=94C357A881DFC066&sid=B1E36BF7B9783A85&eid=358F98408588E522&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1