%0 Journal Article
%T A Radiation Hardened SOI Inverter<br>一种抗辐照SOI反相器
%A Zhao Hongchen
%A Hai Chaohe
%A Han Zhengsheng
%A Qian He
%A and Si Hong
%A <br>赵洪辰
%A 海潮和
%A 韩郑生
%A 钱鹤
%A 司红
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 制备了一种抗辐照SOI反相器，增加了一个上拉pMOS1和一个额外的nMOS1. 当受到辐照后，pMOS1和nMOS1输出的高电平使下级输出管的源漏电压减小，降低了漏电流，有效地提高了输出端“高”电平. 实验证明，该反相器在经受6e5rad(Si)的辐照后，输出“高”电平仍然未下降.
%K radiation
%K inverter
%K output voltage<br>辐照效应
%K 反相器
%K 输出高电平
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6D4627033F5B4F6A&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=3381B1AF30824ACC&eid=C04B8FC2EE0A3178&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=7