%0 Journal Article
%T 一种新的SOI制备技术:H~+离子注入、键合和分离
%A 竺士场
%A 张苗
%A 林成鲁
%A 黄宜平
%A 吴东平
%A 李金华
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X H＋离子注入Si片并经一定条件退火，可在Si片中形成埋层微空腔（microcavity）层，结合Si片键合技术，用智能剥离（Smart－cut）技术成功地制备了Unibond－SOI材料，并用扩展电阻（SRP）、卢瑟福背散射（RBS／C）和剖面透射电子显微镜（XTEM）等初步分析了其结构和电学性质．
%K SOI制备技术
%K 硅片
%K 离子注入
%K 键合
%K 分离
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E3102F847C8932C92CBBC40DDC2A54A1&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=C19D5524C51D7FE4&eid=6452E1221020E61F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=0