%0 Journal Article
%T Hg_(1-x)Cd_xTe探测器表面积累层的磁输运特性
%A 桂永胜
%A 郑国珍
%A 褚君浩
%A 郭少令
%A 汤定元
%A 蔡毅
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 利用WKB近似对Hg1-xCdTe探测器表面积累层二维电子气的色散关系进行了计算，获得了不同表面电子浓度下，各子带的电子浓度、能级位置和有效质量．考虑了能带的非抛物性，由SdH振荡获得的结果与理论符合的很好．
%K 红外探测器
%K 表面积累层
%K 磁输运性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E3102F847C8932C9B2D2E1EDC100BEDE&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=06DAE5E1DF7D0B6A&eid=B28C697BC3A1BA62&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=4