%0 Journal Article
%T Novel p-Channel Selected n-Channel Divided Bit-Line NOR Flash Memory Using Source Induced Band-to-Band Hot Electron Injection Programming<br>采用源极增强带带隧穿热电子注入编程的新型p沟选择分裂位线NOR快闪存贮器(英文)
%A Pan Liyang
%A Zhu Jun
%A Liu Kai
%A Liu Zhihong
%A Zeng Ying
%A <br>潘立阳
%A 朱钧
%A 刘楷
%A 刘志宏
%A 曾莹
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 提出一种新型的PMOS选择分裂位线NOR结构快闪存贮器 ,具有高编程速度、低编程电压、低功耗、高访问速度和高可靠性等优点 .该结构采用源极增强带带隧穿热电子注入进行编程 ,当子位线宽度为 12 8位时 ,位线漏电只有 3 5 μA左右 ,每位编程功耗为 16 5 μW ,注入系数为 4× 10 -4 ,编程速度可达 2 0 μs,存贮管的读电流可达 6 0 μA/ μm以上 .分裂位线结构和低编程电压使得该结构具有很好的抗位线串扰特性和可靠性 .
%K flash memory
%K DINOR
%K band-to-band
%K SIBE
%K disturbance<br>快闪存贮器
%K 带带隧穿
%K 分裂位线NOR
%K 源极增强带带隧穿热电子注入
%K 位线串扰
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=82ACC03EF9FC8BBC&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=D7513DBF373F2B6C&eid=E1D875FA50925809&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=7