%0 Journal Article
%T Spotsize Converter Integrated DFB Laser Diode Using Selective Area Growth of MOCVD<br>选择外延MOCVD研制DFB激光器和模斑转换器集成器件(英文)
%A Qiu Weibin
%A Wang Wei
%A Dong Jie
%A Zhang Jingyuan
%A Zhou Fan
%A <br>邱伟彬
%A 王圩
%A 董杰
%A 张静媛
%A 周帆
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 研究了利用选择外延生长的 In Ga As P材料的厚度增强因子和带隙波长的性质 ,最大的厚度增强因子为 2 .9.利用选择外延技术研制的 DFB激光器和模斑转换器的集成器件 ,阈值为 10 .8m A,在 60 m A下输出功率为 10 m W,边模抑制比为 3 5 .8d B,垂直方向上的远场发散角从 3 4°减少到 9°,垂直方向上的 1d B偏调容差为 3 .4 μm.
%K SAG
%K butt-joint
%K spotsize converter
%K DFB<br>选择外延
%K 对接
%K 模斑转换器
%K DFB激光器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4DB9759EB20DC91E&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=94C357A881DFC066&sid=3389C664025A98F9&eid=788931E6318420A3&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=10