%0 Journal Article
%T CoSi_2中As~+和BF_2~+注入杂质再分布形成硅化物化浅结性能研究
%A 徐立
%A 张国炳
%A 陈文茹
%A 武国英
%A 王阳元
%A 龚里
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 向CoSi_2膜中分别注入As~+和BF_2~+杂质,以这种掺杂硅化物作为扩散源,用快速热处理使注入杂质再分布至CoSi_2下面的硅衬底中,能制作出结深为0.12μm的硅化物化N~+-P和 P~+-N浅结.本文研究了所制作的浅结性能,井从注入杂质在 COSi_3/Si系统中的再分布行为,讨论了浅结形成机理.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=33A9B539D64A277A&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=94C357A881DFC066&sid=F637763636425CAF&eid=0C3F9E980968AF79&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0