%0 Journal Article
%T SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜与SnO_2单层薄膜特性差异的研究
%A 马晓翠
%A 阎大卫
%A 邹慧珠
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 用等离子体化学气相淀积法制备的SnO_2/Fe_2O_3多层膜的一些电学特性和气敏特性不同于SnO_2单层膜.当SnO_2层的沉积时间很短时,多层膜在空气中及在敏感气氛中的电导随沉积时间的增加而下降.多层膜的响应及恢复时间也呈现一些反常的变化.本文提出一个包括过渡层在内的模型用以解释这些现象.过渡层可在沉积过程中产生,存在于SnO_2与Fe_2O_3界面附近,其厚度达30nm数量级.
%K SnO／FeO
%K 多层薄膜
%K SnO
%K 单层薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9687A7AB570B1212F0113D91A733F7E4&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=F27A401E323B6FAD&eid=9BA67A0B76A3DBA8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=5