%0 Journal Article
%T 雪崩热电子注入对快速热氮化的SiO_xN_y膜陷阱的影响
%A 陈蒲生
%A 杨光有
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文研究了雪崩热电子注入对快速热氮化的SiO_zN_y膜体内电子陷阱和界面陷阱的影响.结果表明:快速热氮化的SiO_xN_y膜存在着不同类型的陷阱,其陷阱密度悬殊很大.雪崩热电子注入过程中在Si/SiO_xN_y界面上产生两类性质不同的快界面态陷阱.同时还给出这两种陷阱在禁带中的能级位置,界面态密度随雪崩注入的变化关系.文中并对实验结果进行讨论与分析.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=92C373D989BF216D&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=EB58C3052341AAA3&eid=34D9E20AD82A0D72&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=0