%0 Journal Article
%T 在GaSb衬底上生长c-GaN的初步研究
%A 黄大定
%A 高维滨
%A 吴正龙
%A 张建辉
%A 刘志凯
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X ＡＥＳ、ＸＰＳ分析和ＸＲＤ谱结果证明：采用低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在ＧａＳｂ（００１）衬底上共淀积生长了闪锌矿结构ｃ－ＧａＮ．Ｘ光Φ扫描显示，生长薄膜与衬底晶向匹配关系是ｃ－ＧａＮ［１１０］／／ＧａＳｂ［１００］．由此可以得到：它们的晶格失配度为４．６６％，ＧａＳｂ是已采用生长ｃ－ＧａＮ衬底材料中较好的一种．
%K 氮化镓
%K 锑化镓
%K 低能双离子束
%K 沉积
%K IBD
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FBEE9AD3C1449C45B7FD4385D973ED7F&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=46682C11199DA00C&eid=36C49E1242CC2C7A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1