%0 Journal Article
%T 固体C_(60)/p-GaAs异质结的整流特性和界面电子态
%A 陈开茅
%A 陈莹
%A 张亚雄
%A 金泗轩
%A 吴克
%A 李传义
%A 顾镇南
%A 周锡煌
%A 刘鸿飞
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 我们将Ｃ６０膜淀积在ｐ－ＧａＡｓ〈１００〉衬底上，做成了固体Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ异质结并对其电学性质做了研究．异质结的理想因子接近于１，在偏压为±１Ｖ时，其整流比大于１０６倍．在正向偏压固定的情况下，结电流的对数与温度倒数成线性函数关系，从关系中求出异质结有效势垒高度为０．６３ｅＶ．用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术在Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ界面上观测到一个空穴陷阱，其能级为ＧａＡｓ价带之上０．４５ｅＶ，密度为２．４×１０１１／ｃｍ２．这样少的界面态存在于Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ界面上可能意味着Ｃ６０膜对ＧａＡｓ表面
%K 碳60
%K 砷化镓
%K 异质结
%K 整流特性
%K 界面电子态
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FBEE9AD3C1449C45A7E5870F4323134D&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=7C13E30F5EDBE7AB&eid=04FC77FB58A9B53A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=11