%0 Journal Article
%T 采用混合模式晶体管(BMHMT)构成低温BiCMOS集成电路
%A 李树荣
%A 郭维廉
%A 郑云光
%A 刘理天
%A 李志坚
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文介绍采用与ＣＭＯＳ工艺完全相容的双极／ＭＯＳ混合模式晶体管（ＢＭＨＭＴ）构成新型的低温ＢｉＣＭＯＳ集成电路．理论分析表明该电路与ＣＭＯＳ相比，在电压摆幅相同，静态功耗相近的条件下，具有更大的驱动能力，尤其在较低的工作电压下，其特点更加突出．我们用统一的标准和相同芯片面积设计了３９级带负载的ＢｉＣＭＯＳ和ＣＭＯＳ环形振荡器．实验样品经室温和低温平均门延迟时间测试，表明在相同工作电压下ＢｉＣＭＯＳ优于ＣＭＯＳ．若两种电路都采用ＳＯＩ结构，预计ＢｉＣＭＯＳ可以获得更好的结果
%K 混合模式晶体管
%K VLSI
%K BMHMT
%K IC
%K 铋CMOS
%K 制造工艺
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9032894C1993D07B&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=EB8E83807F36F05B&eid=2A92ABD90588B251&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=3