%0 Journal Article
%T Photoluminescence Studies of GaAs/AlAs Short Period Superlattices under Hydrostatic Pressure<br>GaAs/AlAs短周期超晶格的静压光致发光研究
%A 李国华
%A 江德生
%A 韩和相
%A 汪兆平
%A K.Ploog
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 在室温和液氮温度下对不同层厚的GaAs/AlAs短周期超晶格在0—50kbar范围内进行了静压光致发光研究。在导带最低能级为类Γ态能级(Ⅰ类超晶格)和类X态能级(Ⅱ类超晶格)两种情况下都得到了类Γ态能级与类X态能级差随层厚的变化。首次直接观察到室温、常压下(GaAs)_(11)(AlAs)_(11)超晶格中类Γ态能级与类X态能级发生交叉。从发光峰的强度随压力的变化求得室温下在类Γ态能级与类X态能级恰好交叉的压力下类X态电子和类Γ态电子到价带空穴的跃迁几率之比从(GaAs)_(17)(AlAs)_(17)的1.4×10~(-4)逐渐增加到(GaAs)_6(AlAs)_6的4.6×10~(-3)。表明类Γ态和类X态间的混合较弱。对实验结果进行了简短的讨论。
%K Superlattice
%K Pressure
%K Photoluminescence<br>GaAs／AlAs
%K 超晶格
%K 光致发光
%K 静压
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D60FF2D01A445A0C&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=0B39A22176CE99FB&sid=7E8E8B150580E4AB&eid=6700D0D256586E73&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1