%0 Journal Article
%T 1/f Noise in Silicon-Based Piezoresistive Microsensor<br>硅压阻输出微传感器的1/f噪声
%A YU Xiao-mei
%A JIANG Xing-liu
%A J Thaysen
%A O Hansen
%A A Boisen
%A <br>于晓梅
%A 江兴流
%A J Thaysen
%A O Hansen
%A A Boisen
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 从理论和实验上系统地讨论了压阻输出微传感器的噪声 .选用了单晶硅、非晶硅、多晶硅和微晶硅四种材料作为压阻材料 ,设计了 16种不同尺寸的力敏 Wheastone电桥 ,并对器件分别进行了两种不同浓度的掺杂和两种不同条件的退火 ,共获得 2 5 6种压阻输出的微传感器 .测量所有器件的噪声 ,并对噪声谱进行理论分析 ,实验结果表明单晶硅具有最低的 1/ f 噪声和 Hooge因子 (α)的值 ,而非晶硅略好于微晶硅和多晶硅 .几何尺寸大的力敏电阻具有低的 1/ f 噪声 ,但 α值不受器件尺寸的影响 .掺杂浓度增加 10倍时 ,不同器件的 1/ f 噪声降低介于35 %— 5 0 %之间 .
%K cantilever
%K 1/f noise
%K piezoresistive
%K Hooge factor<br>悬臂梁
%K 1/f噪声
%K 压敏
%K Hooge因子
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0058EB4754147725&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=7CCBDF94263DBB99&eid=F61A98B4CFAD5F2A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=23