%0 Journal Article
%T Irradiation Characteristic of GaAs Microstrip Particle Detectors<br>GaAs微条粒子探测器的辐照特性
%A Shao Chuanfen
%A Zhu Meihua
%A Shi Changxin
%A <br>邵传芬
%A 朱美华
%A 史常忻
%J 半导体学报
%D 2003
%I 
%X 设计了一种能经受高能粒子辐照的 Ga As微条粒子探测器 .该探测器结构采用金属 -半导体 -金属结构 ,其主要几何尺寸是 :微条长度为 17mm ,宽度分别为 2 0、5 0、10 0、2 0 0、30 0μm .该探测器在经受电子、中子、γ射线、X射线等高能粒子辐照后 ,表面金属光亮无损 ,反向击穿电压最高可达 180 V,在反偏电压 80 V时 ,反向暗电流密度低达31n A/mm2 .探测器的最小条宽为 2 0μm.
%K microstrip
%K GaAs
%K detector<br>微条
%K 砷化镓
%K 探测器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=298DDAA892DEBD38&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=B91E8C6D6FE990DB&iid=0B39A22176CE99FB&sid=78F0EFE028BD3783&eid=A1266CF37D675CF1&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=5