%0 Journal Article
%T Proton Irradiation Effects on Multi-Quantum Wells GaAs Solar Cells<br>量子阱GaAs太阳电池的质子辐射效应
%A FAN Qiang
%A Wang Rong
%A YANG Jingbo
%A FAN Qiang
%A Xu Ying
%A Sun Xufang
%A <br>王荣
%A 杨靖波
%A 范强
%A 许颖
%A 孙旭芳
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 用I-V特性、光谱响应和深能级谱分析辐射效应，分析了1e9～2e13cm－2，2MeV质子辐照量子阱GaAs太阳电池．结果表明，随辐照注量增大，电池Isc，Voc，Pmax衰降程度增加；相同的注量，Pmax衰降程度最大．当注量大于3e12cm－2时，Isc衰降程度比Voc的大；当注量小于3e12cm－2时，Voc衰降程度比Isc的大；在900～1000nm波长范围内，2e13cm－2辐照使量子阱光谱响应特性消失．这与量子阱结构受到损伤引入位于Ec－0.35eV的深能级有关．
%K MQW
%K GaAs solar cells
%K proton irradiation<br>量子阱
%K GaAs太阳电池
%K 质子辐照
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=41AA84503CFD000C&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=5D311CA918CA9A03&sid=784CFDF6185AED9D&eid=E0EA1E85C42D382D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=8