%0 Journal Article
%T 不同温度下快速热退火对SiGe量子阱光致发光谱的影响
%A 司俊杰
%A 杨沁清
%A 王红杰
%A 雷红兵
%A 滕达
%A 王启明
%A 刘学锋
%A 李建民
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文对ＧＳ－ＭＢＥ生长的Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子阱结构用快速热退火（ＲＴＡ）方法进行处理，研究了其在低温下的光致发光（ＰＬ）特性．发现存在一个最佳退火温度范围，使得ＰＬ谱的发光得到改善．随着退火温度的继续提高，ＰＬ谱线发生兰移，发光强度下降．认为这种趋势是由内部缺陷和位错以及Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子阱结构在退火过程中相应的变化所导致．辅助的缺陷显微观察证实了我们的结论
%K 锗化硅
%K 退火
%K 量子阱
%K 光致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EEBF9987D00BDEFD&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=B31275AF3241DB2D&sid=F18BA6286A889C1C&eid=03436AC72A659ACA&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=0