%0 Journal Article
%T 一种简便有效的多孔硅后处理新方法
%A 熊祖洪
%A 刘小兵
%A 廖良生
%A 袁帅
%A 何钧
%A 周翔
%A 曹先安
%A 丁训民
%A 侯晓远
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文报道了一种简便有效的多孔硅（ＰＳ）后处理新方法，即在（ＮＨ４）２Ｓ／Ｃ２Ｈ５ＯＨ溶液中浸泡ＰＳ，并用紫外光辐照激发．后处理ＰＳ的光致发光（ＰＬ）强度约为未经处理的５倍；样品处理后的ＰＬ峰值９０ｍｉｎ内随激光连续激发时，在大气中呈现先指数衰减后线性增长，在真空（约１Ｐａ）中却呈现一直衰减到一个稳定值的新特点．通过样品的傅里叶变换红外吸收（ＦＴＩＲ）谱的测试与分析，表明后处理在样品表面产生了ＳｉＨ（Ｏ３）、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ和Ｓｉ３Ｎ４三种提高ＰＳ的ＰＬ强度和稳定性的优质钝化膜
%K 多孔硅
%K 发光器件
%K 全硅基
%K 光电子集成
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=DDE73FCF538052FB&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=B31275AF3241DB2D&sid=D9202C57BAB9096F&eid=8C5DE51F0A009A0F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=6