%0 Journal Article
%T SiC纳米粉的光致发光研究
%A 杨修春
%A 韩高荣
%A 张孝彬
%A 丁子上
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 首次发现ＳｉＣ纳米粉的光致发光效应，通过透射电镜、选区电子衍射、Ｘ射线衍射、高分辨电子显微镜和化学分析，证明量子限制效应是β－ＳｉＣ纳米粉发光的主要机理
%K 半导体
%K 碳化硅
%K 纳米粉
%K 光致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5D89874B4D16868D&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=B31275AF3241DB2D&sid=F27A401E323B6FAD&eid=BA48F0B914ED890A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=6