%0 Journal Article
%T 硅的位错核心结构无悬挂键
%A 昝育德
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文应用物理学平衡状态下能量最低的基本原理，通过分析透射电镜晶格象，制作了９０°、３０°分位错及Ｃｏｔｅｒｌ位错等一系列的模型，说明硅中位错核心无悬挂键
%K 硅
%K 位错核心
%K 结构
%K 无悬挂键
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7FD63EE96AB222B7&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=B31275AF3241DB2D&sid=DA74B62FE4348759&eid=216EFB25F7F834CC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2