%0 Journal Article
%T 大剂量氧注入硅中的再分布理论及其快速计算
%A 奚雪梅
%A 赵清太
%A 张兴
%A 李映雪
%A 王阳元
%A 陈新
%A 王佑祥
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 在大剂量氧注入硅形成ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔｅｄＯＸｙｇｅｎ）的物理过程分析基础上，根据单原子衬底注入过程中溅射产额与核阻止本领的本质联系，首次得到Ｏ＋对硅表面溅射产额与注入能量的简洁关系式，同时提出埋ＳｉＯ２中的氧将主要向上界面扩散，排除了以前的作者在研究ＳＩＭＯＸ材料各层厚度时采用拟合参数引起的计算不确定性．在考虑了主要的大剂量注入效应，如体积膨胀、表面溅射、氧在ＳｉＯ２内的快速扩散等，得到氧在硅中的深度分布，经过超高温退火，认为氧硅发生完全的化学分凝，据此设计出快速计算大剂
%K 氧注入
%K 硅
%K 再分布理论
%K SOI材料
%K 半导体材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6DE0A0E7FBC1F62D&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=6CDD207A90CE1EEC&eid=703F3C1B6594BA64&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3