%0 Journal Article
%T 改进的电迁移独立失效元模型
%A 李志宏
%A 顾页
%A 武国英
%A 王阳元
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 当前被广泛采用的描述电迁移失效的独立失效元模型存在很多缺陷．本文根据电迁移失效的物理机制和一些必要的假设，对其进行了一些改进．主要是以三叉点代替晶粒作为独立失效元，并不再假设单个失效元的中值失效时间与晶粒大小无关．对连线宽度、晶粒大小与电迁移寿命的模拟结果都比传统的独立失效元模型更符合实验事实．
%K 电迁移
%K VLSI
%K 互连线
%K 独立失效元模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=82D0FC5709C15762&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=21A4BC96BDC43D33&eid=2A22E972FD97071B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3