%0 Journal Article
%T 小面积PN结的光电特性
%A 尹长松
%A 黄黎蓉
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 用Ｐ型硅材料制作了小面积ＮＰ结光电二极管，测试了二极管的光电特性．若按杂质扩散区的受光面积计算，在同样的光照下，小面积光电二极管的光电流密度是常规面积光电二极管光电流密度的１００倍以上．究其原因，在于杂质扩散区周边一个少数载流于扩散长度范围内，光生载流子对光电流的贡献．因此，当杂质扩散区为一个点时，光敏感区的面积趋于恒定值πＬ，有效光吸收区体积趋于（ＺπＬ）／３．
%K PN结
%K 光电特性
%K 硅光电二极管
%K 二极管
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=76868BEB7A9D31E0&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=8B1FE194AD66DC3D&eid=5AE7FA263C8A6D65&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=1