%0 Journal Article
%T C波段3瓦T形电极硅双极晶体管
%A 张树丹
%A 王因生
%A 李相光
%A 陈统华
%A 谭卫东
%A 郑承志
%A 刘六亭
%A 陈培棣
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文报道了一种自对准Ｔ形电极结构的硅双极晶体管的制作和实验结果．这种结构的晶体管发射极和基极接触窗口的间距仅０．４μｍ，发射极排列周期为４μｍ．测试结果表明，晶体管在４．２ＧＨｚ下，连续波输出功率大于３Ｗ，增益８ｄＢ和集电极效率４０％；作为振荡应用时。在４．３ＧＨｚ的振荡频率下，振荡输出功率可达１Ｗ，ＤＣ－ＲＦ转换效率为２０％．
%K 双极晶体管
%K 硅晶体管
%K 电极晶体管
%K 晶体管
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F2449D7DE0A8C12B&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=286FB2D22CF8D013&eid=E514EE58E0E50ECF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=1