%0 Journal Article
%T 热解CVD方法制备氧化铍薄膜的研究
%A 徐宝琨
%A 杨弘
%A 卢致玉
%A 岳万刚
%A 王子忱
%A 赵慕愚
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文用碱式甲酸铍为源,在源区温度250—330℃,沉积区温度440—650℃的条件下,利用热解CVD方法制得了BeO薄膜,并对BeO 薄膜的物理和化学性能做了测量和试验.
%K 氧化铍
%K 薄膜
%K 热解
%K CVD
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4F2FC8D0A4800497&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=9BF3B0483F192149&eid=9A596D09E9486F3E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1