%0 Journal Article
%T 掺锌砷化镓样品的SIMS定量分析
%A 陈宇
%A 范垂祯
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文利用注入剂量法,对离子注入掺Zn的GaAs样品进行了SIMS定量分析,得到了Zn在GaAs中的浓度分布,并由此获得了稳定的相对灵敏度因子,利用相对灵敏度因子法对GaAs 中的掺杂元素进行定量分析,获得了较好的结果,相对偏差小于 8 ％,此外,本文讨论了GaAs中杂质元素二次离子产额的覆氧效应,对注入剂量法进行了覆氧修正.
%K 砷化镓
%K 掺锌定量分析
%K SIMS
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4EC82739B1721FC0&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=1D5555D0B4345CA8&eid=6EEC242D0D8BE428&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1