%0 Journal Article
%T 红外透射光谱测量重掺杂化合物半导体裁流子浓度方法的研究
%A 何秀坤
%A 王琴
%A 李光平
%A 阎萍
%A 汝琼娜
%A 李晓波
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 文报道了用红外透射光谱测量重掺杂化合物半导体n-GaAs和n-InP 载流子浓度的研究结果.给出了载流于浓度N和透射光谱截止波长λ_c的关系曲线,对应的经验公式为:对于 n-GaAs,N=1.09 × 10~(21)λ_c~(3.0623);n-InP,N=3.58 × 10~(20)λ_c~(-2.6689).本方法载流子浓度测量范围为 1.0×10~(17)≤N≤2.0 ×10~(19)cm~(-3),测量误差 ±10～15％.文中对测量条件进行了讨论,并给出了GaAs:Si样品载流子浓度径向分布的测量结果.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=321BF408144AD8F3&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=03EE8EDD44A3D4BE&eid=C2053D4E59904B8A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0